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IRF710S, SiHF710S
Vishay Siliconix
V GS
V DS
R D
D.U.T.
2.0
1.6
R g
10 V
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
+
- V DD
1.2
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
0.8
V DS
0.4
0.0
90 %
25
50
75
100
125
150
91042_09
T C , Case Temperature (°C)
10 %
V GS
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
10
0 ? 0.5
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
1
0.2
0.1
0.05
P DM
0.1
0.02
0.01
Single Pulse
(Thermal Response)
t 1
t 2
Notes:
1. Duty Factor, D = t 1 /t 2
10 -2
2. Peak T j = P DM x Z thJC + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
0.1
1
10
91042_11
Document Number: 91042
S11-1048-Rev. C, 30-May-11
t 1 , Rectangular Pulse Duration (s)
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.vishay.com
5
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